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三菱電機(jī)開始提供“高頻用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊”樣品

日期:2025-04-27 07:58
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摘要: 三菱電機(jī)開始提供“高頻用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊”樣品 2014-05-15 三菱電機(jī)株式會社 有助于實(shí)現(xiàn)電力電子裝置的高效化、小型化和輕量化 “高頻用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊”開始提供樣品 三菱電機(jī)株式會社將于5月15日開始提供高頻用混合SiC功率半導(dǎo)體樣品,該功率半導(dǎo)體的二極管部分采用SiC※1的材料。通過采用碳化硅(SiC)技術(shù),對于使用電力逆變器如不間斷供電電源(UPS)、醫(yī)療器械專用電源、太陽能逆變器等電力電子裝置而言,將更有助于其實(shí)現(xiàn)高效化、小型化和輕量化。 此外,高頻用混合SiC功率半...

三菱電機(jī)開始提供“高頻用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊”樣品


2014-05-15
三菱電機(jī)株式會社

有助于實(shí)現(xiàn)電力電子裝置的高效化、小型化和輕量化
“高頻用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊”開始提供樣品

三菱電機(jī)株式會社將于5月15日開始提供高頻用混合SiC功率半導(dǎo)體樣品,該功率半導(dǎo)體的二極管部分采用SiC※1的材料。通過采用碳化硅(SiC)技術(shù),對于使用電力逆變器如不間斷供電電源(UPS)、醫(yī)療器械專用電源、太陽能逆變器等電力電子裝置而言,將更有助于其實(shí)現(xiàn)高效化、小型化和輕量化。

此外,高頻用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊將在“PCIM※2 Europe2014展”(5月20?22日于德國紐倫堡舉行)上展出。

※1  SiliconCarbide:碳化硅
※2  PCIM:Power Conversion Intelligent Motion
CMH100DY-24NFH
CMH150DY-24NFH
CMH 200DU-24NFH
CMH300DU-24NFH
CMH 400DU-24NFH
CMH 600DU-24NFH
高頻用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊
新產(chǎn)品的特點(diǎn)
1.損耗減少約40%,有助于實(shí)現(xiàn)裝置的高效化、小型化和輕量化
?采用SiC-SBD※3用于二極管、高頻開關(guān)Si-IGBT用于晶體管的混合型結(jié)構(gòu)。
?SiC-SBD由于不會產(chǎn)生反向恢復(fù)電流,可使開關(guān)的損耗大幅降低,損耗降低約40%,因而有助于實(shí)現(xiàn)裝置的高效化。
?由于損耗大幅減少,將有利于散熱裝置的進(jìn)一步小型化、輕量化,而功率器件的高頻化則有助于實(shí)現(xiàn)電抗器等配件的小型化和輕量化。
※3   SchottkyBarrierDiode:肖特基勢壘二極管
2.內(nèi)部寄生電感降低,可有效抑制浪涌電壓
?采用適用高速開關(guān)的低電感封裝。
?100A、150A產(chǎn)品與以往產(chǎn)品※4相比,內(nèi)部寄生電感約降低30%。
※4   采用硅(Si) 的高頻用IGBT模塊“NFH系列”
3.與以往產(chǎn)品封裝保持一致,方便用戶替換
?確保了與以往產(chǎn)品※4的封裝一致性,因而可以直接替換。
※4   采用硅(Si) 的高頻用IGBT模塊“NFH系列”
新產(chǎn)品的概要
產(chǎn)品名 型號 概要 樣品出廠日期
高頻用混合SiC
功率半導(dǎo)體模塊
CMH100DY-24NFH 1200V/100A2in1 5月15日
CMH150DY-24NFH 1200V/150A2in1
CMH200DU-24NFH 1200V/200A2in1
CMH300DU-24NFH 1200V/300A2in1
CMH400DU-24NFH 1200V/400A2in1
CMH600DU-24NFH 1200V/600A2in1
提供樣品的目的

近年來,從有效利用能源的觀點(diǎn)出發(fā),使用碳化硅(SiC)的功率半導(dǎo)體可以大幅降低功率損耗并可實(shí)現(xiàn)功率器件高速開關(guān),因而用戶對它的期盼日益迫切。此前,針對不間斷供電電源裝置(UPS)、醫(yī)療器械專用電源等需要進(jìn)行高頻開關(guān)操作的電力電子裝置,本公司已經(jīng)提供了開關(guān)特性*優(yōu)化的功率半導(dǎo)體模塊“NFH系列”。

現(xiàn)在,通過進(jìn)一步的研制開發(fā),三菱電機(jī)開始提供高頻用混合型碳化硅(SiC)模塊的樣品,該模塊作為“NFH系列”的新陣容,通過采用SiC-SBD,可以大幅降低功率損耗。

高頻用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊使用“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”開發(fā)技術(shù)的一部分。

主要規(guī)格
用途 型號 額定電壓 額定電流 電路結(jié)構(gòu) 封裝尺寸
(W)×(D)
工業(yè)設(shè)備 CMH100DY-24NFH 1200V 100A 2in1 48×94mm
CMH150DY-24NFH 150A
CMH200DU-24NFH 200A 62×108mm
CMH300DU-24NFH 300A
CMH400DU-24NFH 400A 80×110mm
CMH600DU-24NFH 600A
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